7月14日上午，中金岭南韶关冶炼厂稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队利用自有技术成功生产出第一根砷化镓单晶棒，单晶棒外观质量优良，初步判定为零缺陷长单晶体。本次实验第一次投料就成功产出成晶率高、质量优良的单晶棒，说明韶冶厂在砷化镓单晶装备、晶体生长工艺控制等方面拥有的技术成熟可靠，已达到国内同行业领先水平。
砷化镓是一种半导体材料，它具有高电子迁移率、宽禁带宽度、高热导率等特点，是高频电子器件制造中的重要应用基底材料之一，在光电子器件、微波电子器件、高亮度的发光二极管和激光器以及高频率的晶体振荡器等领域应用广泛。
砷化镓材料可以分为多晶和单晶两种形态，从砷化镓多晶到砷化镓单晶的过程称为晶体生长，多晶材料通常含有一定量的杂质和晶界缺陷，而砷化镓单晶材料的晶体结构更加完善，具有更好的电子性能。此次成功制备的砷化镓单晶是在此前合成的砷化镓多晶基础上制备而来的，意味着工厂已经具备制备砷化镓单晶材料的能力，在砷化镓材料领域再次向前迈出了一大步。
据悉，目前韶冶厂在中金岭南（韶关）功能材料产业园谋划的年产86万片高纯半导体衬底材料项目其主产品之一，就是由砷镓单晶经过切磨抛洗等一系列工序后形成的砷化镓单晶衬底材料。此次，自主成功制备出砷化镓单晶，标志着韶冶厂在工艺和装备上已趋于成熟，将为86万片高纯半导体衬底材料项目建成投产奠定坚实基础，使其成为全新的、重要的效益增长点，持续夯实高质量发展基础。
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